วิธีสร้างหัวต่อ PN มีดังนี้
- วิธีสารผสม
- วิธีแพร่ซึม
- วิธียิงอิออน
- วิธีเอพิแทกซี
วิธีสารผสม
ในกรณีทรานซิสเตอร์เจอเมเนียม จะนำเอา ก้อนอินเดียมกลมเล็ก ๆ มาวางบนผลึกเจอเมเนียมแล้วหลอมเหลวให้เชื่อมติดกัน
เมื่อเจอเมเนียมและอินเดียมหลอมติดกัน และแข็งตัว อะตอมอินเดียมจะเข้าไปในเนื้อข่ายผลึกของเจอเมเนียมได้
วิธีแพร่ซึม
เมื่อนำเอาแว่นผลึกซิลิคอนไปวางใน บรรยากาศที่มีไอโบรอนแล้วเพิ่มอุณหภูมิที่มีค่าสูง(ประมาณ ๑๐๐๐ °C) อะตอมของธาตุโบรอนจะ แพร่ซึมเข้าไปในผลึกซิลิคอน เนื้อสารส่วนที่ถูกแพร่ซึมนี้จะนำไฟฟ้าแบบ P (โฮล)
ในกรณีที่แพร่ซึมด้วยอะตอมฟอสฟอรัส จะได้เนื้อสารที่นำไฟฟ้าแบบ N
วิธียิงอิออน
นำสารเจือปนที่เป็นก๊าซมาทำเป็นอิออนที่มี ประจุไฟฟ้า แล้วผ่านเครื่องวิเคราะห์น้ำหนักธาตุ เพื่อแยกชนิดของธาตุที่ต้องการใช้ยิง เร่ง ความเร็วของอิออนด้วยสนามไฟฟ้าแล้วยิงเข้าไป ยังผลึกสารกึ่งตัวนำ วิธียิงอิออนนี้สามารถควบคุมตำแหน่ง ปริมาณความหนาแน่นของสาร เจือปน และความลึกได้อย่างละเอียด
วิธีเอพิแทกซี
นำแว่นผลึกชนิด N มาใส่ในเตาอุณหภูมิ สูงที่ ๑๒๐๐ °C เมื่อผ่านก๊าซผสมของ SiHCl3 (ไทรคลอโรไซเลน) และ B2H6 (ไดโบเรน)ที่มีปริมาณที่เหมาะสม ก็จะเกิดเนื้อผลึกชนิด P พอกอยู่บนแว่นผลึกชนิด N ในกรณีที่จะปลูก ผลึกชนิด N บนแว่นผลึกชนิด P จะใช้ก๊าซผสมที่มีสารเจือปน เช่น AsH3 (อาร์ซีน) PH3 (ฟอสฟีน)
